
Trasduttore di pressione del liquido
● Basato su chip di silicio MEMS.
● Alta precisione, alta stabilità, alta affidabilità.
● Struttura a filo, buona risposta in frequenza dinamica.
● Ampi campi di misura.
Trasduttore di pressione del liquido
Descrizione del trasduttore di pressione del liquido
Basato sulla tecnologia MEMS, il trasduttore di pressione del liquido ad alta frequenza UPC4 utilizza il diaframma di silicio integrato come elemento sensibile. Le dimensioni effettive di UPC4 sono ridotte e, a causa della caratteristica di elasticità fine del silicio, oltre alla struttura a filo del trasduttore, pertanto, la risposta in frequenza dinamica di UPC4 è estremamente elevata (max. 1 MHz), può rispondere alla frequenza più bassa a zero, dalla più alta alla frequenza quasi naturale e il tempo di aumento del livello è solo microsecondo. Le prestazioni complessive del trasduttore di pressione del liquido UPC4 superano il trasduttore di pressione dinamico piezoelettrico.
Il trasduttore di pressione del liquido ad alta frequenza UPC4 è stato ampiamente applicato in esperimenti scientifici come ingegneria militare, esperimento di esplosione a fusione, petrolio, disboscamento di pozzi petroliferi, materiale, meccanica, ingegneria delle costruzioni, meccanica del suolo e della roccia, medicina delle ferite, esperimenti di generatore di pressione idraulica e negli strumenti e nei misuratori di modernizzazione, è la prima scelta per la misurazione dinamica della pressione.
Caratteristiche del trasduttore di pressione del liquido
● Basato su chip di silicio MEMS
● Alta precisione, alta stabilità, alta affidabilità
● Struttura a filo, buona risposta in frequenza dinamica
● Ampi campi di misura
Specifiche del trasduttore di pressione del liquido
| frequenza dinamica | max. 1MHz |
| mezzo di pressione | gas o liquido compatibile con acciaio inossidabile |
| campi di pressione | 0 ~ 0,1 bar ... 600bar |
| tipo di pressione | manometro (G), manometro sigillato (S) |
| pressione di sovraccarico | ≥ 150% di FS |
| segnale di uscita | 80 ± 20mV |
| precisione | 0,25% FS, 0,5% FS (standard) |
| offset zero | ≤ ± 2mV |
| stabilità a lungo termine | <0,2% fs="">0,2%> |
| eccitazione | 1,5 mA o 10 V CC |
| intervallo di temperatura compensato | -10 ~ 70 ℃ |
| Intervallo operativo di temperatura | -30 ~ 100 ℃ |
| intervallo di temperatura di conservazione | -40 ~ 100 ℃ |
| coefficiente di temperatura pari a zero | 0,3% FS / 10 ℃ |
| coefficiente di temperatura dell'intervallo | 0,3% FS / 10 ℃ |
| resistenza di ingresso / uscita | 1 ~ 6kΩ |
| resistenza di isolamento | 100M @ 50VDC |
| connessione al processo | M20 × 1,5 o altri |
| connessione elettrica | struttura autobloccante o altro |
| materiale della parte bagnata | 1Cr18Ni9Ti |
| materiale delle abitazioni | 1Cr18Ni9Ti |
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